УПИ – УГТУ Кафедра радиоприёмные устройства. Контрольная работа № 1 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “. Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3
Работу не высылать. УПИ – УГТУ Кафедра радиоприёмные устройства. Контрольная работа № 1 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “. Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3
Работу не высылать. Аннотация. Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов. Диод 2Д510А Краткая словесная характеристика диода. Диод кремниевый эпитаксиально- планарный. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода. Масса диода не более 0,15 г. Паспортные параметры. Электрические параметры: Постоянное прямое напряжение при не Iпр= 200 мА более: при 298 и 398 К …………………………………………………………….. 1,1 В при 213 К …………………………………………………………………… 1,5 В Постоянный обратный ток при Uпр= 50 В, не более: при 298 и 213 К ……………………………………………………………. 5 мкА при 398 К …………………………………………………………………… 150 мкА Заряд переключения при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В, не более ………………. 400 пКл Общая ёмкость диода при Uобр= 0 В, не более ………………………………… 4 пФ Время обратного восстановления при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В, Iотсч= 2 мА не более ……………………………………………………………… 4 нс Предельные эксплуатационные данные: Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и периодичности) ……………………………………………………………………… 50 В Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скважности не менее 10 ………………………………………… 70 В Постоянный или средний прямой ток: при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 200 мА при 393 К ………………………………………………………………….. 100 мА Импульсной прямой ток при ?и ? 10 мкс (без превышения среднего прямого тока): при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 1500 мА при 393 К ………………………………………………………………….. 500 мА Температура перехода ……………………………………………………………… 423 К Температура окружающей среды ………………………………………………….От 213 до 393 К Семейство вольтамперных характеристик: Iпр,мА
200
160
120
80
40
0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 Uпр,В
Расчёты и графики зависимостей: сопротивление постоянному току R= и переменному току (малый сигнал) r~ от прямого и обратного напряжения для комнатной температуры 298 К. Зависимость тока от прямого напряжения: Iпр,мА
Зависимость сопротивления переменному току r~ от обратного напряжения Uобр: r~, МОм
12
10
8
6
4
2
0 5 10 15 20 25 30 35 40 U1 45 50 U7 Uоб,В
График зависимости ёмкость Собр от обратного напряжения: Сд, пФ
4
3
2
1
0 20 40 60 80 UобрВ
Определение величин температурных коэффициентов. Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКUпр и ТКIобр. Iпр,мА
200
160
120
80
40
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 U1 1,4 1,6 U2 Uпр,В
I = 200 мА, U1= 1,5 B, U2= 1,1 B, T1= 298 K, T2= 213 K Iобр,мкА
150 I2
125
100
75
50
25 I1
0 10 20 30 40 50 U 60 UобрВ
U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К Определение сопротивления базы. Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):
Iпр,мА
500 I2
400
300
200 I1
100
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 Uпр,В
Тепловой потенциал: По вольтамперной характеристике определяем: U1 = 1,1 В, U2 = 1,2 В, I1 = 200 мА, I2 = 500 мА Малосигнальная высокочастотная схема диода и величины её элементов. Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении: Величины элементов схемы при Uобр = 5 В :
Библиографический список. “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г.. Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г. Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г.. “ Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов” методические указания к лабораторной
