Физические процессы в p-n переходе
2.1.1 , где: (з=(з0-2Т0К – потенциал ЗЗ. (з0(Ge)=0.78 B, (з0(Si)=1.2 B
,
2.1.2
2.1.3
2.1.4
2.1.5
2.1.6 , , , ,
2.1.7 , ,
2.1.8 , где: , (
2.1.9 , , где: Pp0=NA, nn0=NД.
, где: , .
2.1.10, , , ,
,
2.1.11 Высота потенциального барьера

2.1.12 Pp0=NA, nn0=NД, , ,
, (
ВАХ p-n переходов и реальных диодов
2.2.1
2.2.2

2.2.3
2.2.4
2.2.5 , ,
2.2.6 ,
2.2.7
2.2.8 , ,
2.2.9 , , ,
2.2.10 , ,
2.2.11
2.2.12 ,
2.2.13 На низких частотах: , , ,

На высоких частотах: , , ,
Стабилитроны
2.3.1 , , ,

2.3.2 ,
ВАХ биполярного VT
2.4.1 Тип n-p-n, если Uэб – отрицательно,
, , , , ,
2.4.2 Тип n-p-n
, , ,
2.4.3 ,
2.4.4 , , , , , , ,

2.4.5 , ,
2.4.6
2.4.7 , , , , ,
2.4.8 , ,
2.4.9
2.4.10 ,
2.4.11 ,
ВАХ полевых VT с управляющим p-n переходом
2.5.1 Канал типа – n, если график проходной характеристики находится во втором квадранте,
, ,
2.5.2 ,
2.5.3
2.5.4 ,